RSDFTは密度汎関数法に基づく第一原理電子状態計算プログラムです。平面波基底は用いず実空間グリッドで全ての計算を行うため、並列化のボトルネックとなる高速フーリエ変換が不要となり、並列数を上げて大規模系を扱うことが可能です。また、実空間法は周期境界条件による計算のみならず、孤立系の境界条件を設定した分子やクラスターの計算も実行可能です。今回は、RSDFT開発者の押山先生、岩田先生を講師とし、RSDFTを活用した最先端の研究成果の紹介と、シリコン、および、ワイドバンドギャップ半導体などに関する計算例をベースにFOCUSスパコンを用いた講習を実施します。半導体の微細化、界面や表面の物性などに興味のある方は、是非ご参加ください。また、講習会後7日間、講習会の内容に対して講師へのメールでの問い合わせサービスも実施いたします。

【申込締切】を2019年2月20日（水）
【チラシはこちら→チラシ（RSDFT）】

会場:

東京大学柏の葉キャンパス駅前サテライト2F　205号室

住所:

千葉県柏市若柴178-4-4

日時:

2019年2月25日 (月) 10:00 ～ 18:00

定員:

10人

参加費用:

43,200円（税込）（交流会：会費1,000円(当日別途徴収します)）

申し込みは終了しました。

第一原理計算でシリコンや化合物半導体等の大規模系の物性を計算したい方。
実習ではLinuxやLinux上でのエディター等の知識が必要となります。

こちらで準備するノートPCを利用していただきますので、PCの持参は不要です。

東京大学　物性研究所　計算物質科学研究センター（CCMS）

共催：

公益財団法人　計算科学振興財団（FOCUS）

協賛：

TIAかけはし「計算と計測のデータ同化による革新的物質材料解析手法の調査」

ポスト「京」重点課題(7)「次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成」（CDMSI）

計算物質科学人材育成コンソーシアム（PCoMS）

スーパーコンピューティング技術産業応用協議会（ICSCP）(予定）

※受講申込書により提供いただいた個人情報は、講習会の受講申込受付、代金のご請求等の受講に関する事務手続き、及び公益財団法人計算科学振興財団スーパーコンピュータシステムの利用に関する案内・情報提供に必要な範囲でのみ使用いたしますので、予めご了承のうえお申込ください。なお、その他の目的で使用したり、法令に基づく場合を除き無断で第三者へ提供することはございません。

【キャンセル料について】

(1)講習会受講申込締切日時（2019年2月20日(水)）まで ：無料

(2)以降、開催当日まで（無連絡を含む）：受講料の100％

【お問合せ先】

講習会窓口 lecture［at］j-focus.or.jp（［at］を@に変更してください）まで、メールにてお問い合わせください。